那個時候,客戶們每天排隊堵在n康門口等待最新產品下線的熱情,就與十幾年之後,客戶們眼巴巴等著a斯麥euvgkj交貨的迫切並無二致。
    但誰也不曾想,二十年時間不到,風光對調,作為米國忠實盟友的a斯麥就一躍翻身,執掌起代工廠的生殺大權,更成為大國博弈之間的關鍵殺招。
    a斯麥曾經說過,“如果我們交不出euv,摩爾定律就會從此停止”,
    但這真的只是一個盛產風車、郁金香國家,憑借一個三十多人的創始團隊,就可以誕生的一個制造業奇跡,半導體明珠嗎?
    其實,從那台等了整整三年還未曾交付的euv背後,我們不難看出背後真正的贏家。
    在灰姑娘翻身做王後的背後,綿延十多年的,是封鎖與反抗,也是復仇與合作。
    從市場角度出發,作為另一個時空,上世紀九十年代最大的gkj巨頭n康的衰落,就始于那一回157n光源干刻法與193n光源濕刻法的技術之爭。
    背後起主導作用的,是由y特爾創始人之一戈登•摩爾(gordon oore)提出的的一個叫做摩爾定律的產業規範︰
    集成電路上可容納的元器件的數量每隔18至24個月就會增加一倍相應的芯片制程也會不斷縮小)。而每一次制程前進,也會帶來一次芯片性能性能的飛躍。
    這是對芯片設計的要求,但同時也在要求gkj的必須領先設計環節一步,交付出相應規格的設備來。
    幾十納米時代的gkj,門檻其實並不高,三十多人的a斯麥能輕易入局這個行業,連設計芯片的y特爾也可以自己做出幾台嘗嘗鮮,難度左右不過是把買回來的高價零件拼拼湊湊,堆出一台難度比起照相機高深些許的設備而已。
    而n康與他們不同的是,對手靠的是產業鏈一起發力,而n康的零件技術全部自己搞定,就像如今的p果,芯片、操作系統大包大攬,隨便拿出幾塊鏡片,雖不見得能吊打蔡司,但應付當時的芯片制程卻是綽綽有余的。
    但造芯片也好,造gkj也好,關卡等級其實是指數級別增加的,上世紀90年代,gkj的光源波長被卡死在193n,成為了擺在全產業面前的一道難關。
    雕刻東西,花樣要精細,刀尖就得鋒利,但是要如何把193n的光波再“磨”細呢?大半個半導體業界都參與進來,分成兩隊人馬躍躍欲試︰
    <的 f2激光,走穩健道路。
    而新生的euv c聯盟則押注更激進的極紫外技術,用僅有十幾納米的極紫外光,刻十納米以下的芯片制程。
    但技術都已經走到這地步,不管哪一種方法,做起來其實都不容易。
    這時候tjd一個叫做林本堅的鬼才工程師出現了︰
    降低光的波長,光源出發是根本方法,但高中學生都知道,水會影響光的折射率——在透鏡和 片之間加一層水,原有的193n激光經過折射,不就直接越過了157n的天塹,降低到132n了嗎!
    林本堅拿著這項“沉浸式光刻”方案,跑遍米國、德國、東瀛等國,游說各家半導體巨頭,但都吃了閉門羹。甚至有某公司高層給tjdo蔣尚義捎了句狠話,讓林本堅不要再攪局了。
    畢竟這只是理想情況,在精密的機器中加水構建浸潤環境,既要考慮實際性能,又要操心污染。如果為了這一條短期替代方案,耽誤了光源研究,吃力不討好只是其次,被對手反超可就不好看了。<上一條道走到黑,卻沒意識到背後有位虎視眈眈的攪局者。
    當時尚是小角色的a斯麥決定賭一把,相比之前在傳統干式微影上的投入,押注浸潤式技術則更有可能以小博大。
    于是就和林本堅一拍即合,僅用一年時間,就在2004年就拼全力趕出了第一台樣機,並先後奪下ib和tjd等大客戶的訂單。<技術的成品,但畢竟被a斯麥搶了頭陣,更何況波長還略落後于對手。
    等到一年後,n康又完成了對浸潤式技術的追趕,可是客戶卻已經不承認“老情人”,畢竟gkj又不是小朋友玩具,更替要錢,學習更要成本。
    其實早于1997年,在米國政府一手干預下,當n康被euv c排擠在外時,就已經注定了如今gkj市場一家獨大的結局。<,y特爾更傾向于激進的euv方案,于是在1997年,就攢起了一個叫euv c的聯盟。
    聯盟中的名字個個如雷貫耳︰除了y特爾和牽頭的米國能源部以外,還有托羅拉、ad、ib,以及能源部下屬三大國家實驗室︰勞倫斯利弗莫爾國家實驗室、桑迪亞國家實驗室和勞倫斯伯克利實驗室。
    這些實驗室絕對是米國科技發展的幕後英雄,之前的研究成果覆蓋物理、化學、制造業、半導體產業的各種前沿方向,有核武器、超級計算機、國家點火裝置,甚至還有二十多種新發現的化學元素。
    資金到位,技術入場,人才雲集,但偏偏聯盟中的米國gkj企業svg、utratech早在80年代就被n康打得七零八落,根本爛泥扶不上牆。
    于是,y特爾就想拉來n康和a斯麥一起入伙。但問題在于,這兩家公司,一個來自東瀛,一個來自尼德蘭,都不是本土企業。
    偏偏,米國政府又將euv技術視為推動本國半導體產業發展的核心技術,並不太希望外國企業參與其中,更何況那些八十年代在半導體領域壓了米國風頭的東瀛企業。
    但euvgkj又幾乎逼近物理學、材料學以及精密制造的極限。光源功率要求極高,透鏡和反射鏡系統也極致精密,還需要真空環境,配套的抗蝕劑和防護膜的良品率也不高。別說是對小國東瀛與尼德蘭,就算是米國,想要一己之力自主突破這項技術,也是痴人說夢。
    米國自然不會給東瀛提供以後可能會扼住米國半導體咽喉的機會。
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