EUV光刻機的技術難點主要包括三大方面︰曝光工具、掩膜和光刻膠，其中曝光工具包括EUV光源和光學系統；掩膜類似膠片相機的底片。
EUV光源透過掩膜，形成圖案化的EUV光線，然後落到晶圓上；晶圓上涂有稱為光刻膠的光敏化學物質，光刻膠遇到EUV會起化學反應，可以用來蝕刻晶圓。
在曝光工具反面，ASET需要開發的不僅僅包括光源和光學系統，也包括其他很重要的部分，比如晶圓和掩膜的機械對準技術，它需要在0.5nm的誤差範圍內，對準晶圓和掩膜。
面對第一階段艱難的項目進程，ASET選擇將有限的資源集中在光學系統方面，但是對于項目最難的部分EUV光源，ASET決定將這部分外包給了一個2001年新成立的研究組織︰極紫外光刻系統開發協會（EUVA）。
在第一階段，ASET還專門研究了EUV光刻膠，EUV光刻膠的主要難點與EUV光的高吸收性有關，對于傳統的光刻膠，EUV光只能深入光刻膠層約700埃（10埃等于1nm），這低于EUV實際應用的要求；所以傳統的光刻膠是沒法用的，因此ASET必須開發一種新的光刻膠。
第一階段的掩膜研究也很難，掩膜類似底片，上面包含了芯片設計圖案，ASET需要開發新的掩膜制造技術，來保證能生產無缺陷的EUV光刻掩膜，而且除了掩膜的生產，掩膜的缺陷檢測也是一項難度很大的研究課題，需要使用EUV光本身來進行檢測，這在光刻機領域有個專門的術語叫做光化。
日本通商產業省決定為這一課題專門成立了下一代半導體曝光工藝基礎技術開發（MIRAI）的研究機構。
EUV光刻技術是一個典型的跨學科多領域的技術綜合體，單獨的研究機構幾乎不可能全部掌握這項技術。
由于這個項目的難度很大，整個項目一直在延期，到了2005年，MIRAI已經研究出了能夠檢測因空白缺陷而散射的EUV光化檢測工具，但是曝光工具部分還在研究過程中，這一部分的工作落在了尼康和佳能身上。
由于項目嚴重延期，所以日本經濟產業省（原日本通商產業省2001年更名）決定更改項目計劃，計劃5年後的2010年實現EUV光刻技術的商業化，並達到28nm工藝制程，但是，要想實現EUV光刻機的商業化，佳能和尼康就必須在2008年或2009年之前完成EUV試驗樣機的研制，否則這個目標根本就不可能實現。
從2001到2004年，尼康公司與ASET合作，制作出了小型EUV光刻實驗工具HiNA3。
2004年6月17日，BSEC突然公開宣布，全球第一台65nm制程的浸沒式光刻機TWINSCANNXT:2250i被研發成功！
2250i的問世不僅成為全球光刻機行業劃時代的重要事件，也對全球半導體行業的發展承前啟後。
BSEC首次成為全球光刻機行業發展的領導者！
尼康公司如夢初醒，急忙停止EUV的研究，集中全部力量研發65nm制程的干式光刻機NSRS308F。
這些年，尼康公司在EUV光源和光學系統上投資了7億多美元，雖然沒有研發成功EUV光源發生器，但研發成功了157nm激光器，借助于ASET的資源，5個月不到就研發成功NSRS308F，發現制程達不到65nm，又集中精力研發成功偏振照明系統Polano，彌補了157nm波長的缺陷；不到一年，全球第一台45nm制程的DSP100干式光刻機橫空出世。
厚積薄發！
尼康公司又奪回全球光刻機行業的老大位置！
日本經濟產業大臣甘立明代表日本政府親自到尼康公司祝賀，獎勵2000萬美元。
尼康公司管理層、技術團隊和普通員工喜笑顏開，干勁十足。
日本半導體行業歡欣鼓舞，決定聯合投資2350億日元（20億美元），在東京都千代田區建設全球第一條45nm制程工藝的半導體生產線。
“孫先生，BSEC什麼時候能研發成功45nm制程的浸沒式光刻機？”
6月5日，阿密特從日本打來電話，接到尼康公司的邀請，他代表Intel前往尼康公司查看DSP100干式光刻機的性能，尼康公司希望Intel提前預定DSP100，價格可以優惠。
在1994年GCA重回光刻機老大之前，Intel一直是尼康公司的最大客戶。
Intel正在研發第一款四核處理器Core2Quad，即將開啟四核時代的大門，這款CPU擁有582，000，000個晶體管，運行速度為3.4GHz，最大存儲容量為32TB，采用45nm制程工藝。
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阿爾特曼代表AMD公司也出現在尼康公司。
AMD如今正在研發第一款四核處理器速龍IIX4641，采用K10.5架構，這款CPU擁有624，000，000個晶體管，運行速度為3.4GHz，二級緩存4M，最大存儲容量為32TB，采用45nm制程工藝。
AMD希望搶在Intel的前面開啟四核時代。
兩人參觀完後，猶豫不決，約在一起，由阿密特給孫健打電話。
阿爾特曼和阿密特都兼任GCA的董事，雖然Intel和AMD是競爭對手，但兩人的私人關系不錯。
&natech會員，還是GCAEUV光刻機股份公司的重要股東。
要是GCA的光刻機和Nikon的光刻機制程一樣，價格差不多，Intel和AMD都會購買GCA的。
&n制程工藝干式光刻機NSRS308F專門升級雙工作台系統，NSRS308F裝配的還是90nm制程光刻機的雙工作台系統，工作效率比TWINSCANNXT:2230i低15%左右，加上價格貴45%，NSRS308F除了SELETE購買了3台，沒有听說其他晶圓廠購買。
DSP100也沒有升級雙工作台系統，這是一個重大劣勢；預定價格3500萬美元，比之前購買的TWINSCANNXT:2230i貴了2000萬美元，這可以理解。
干式光刻機和浸潤式光刻機各有優缺點。
干式工藝需要CVD沉積、干顯影、干蝕刻等多環節，設備佔地面積為浸潤式的5倍以上，綜合成本約為浸潤式的3倍。但干式工藝材料消耗僅為浸潤式的15110，每片晶圓能耗降低50%，長期看可減少光刻膠用量30%以上，減低供應鏈風險。
但晶圓廠從浸潤式光刻機換成干式光刻機，需要在光刻膠類型及涂布方式、光學系統調整、設備配套設施、工藝參數優化、成本投入變化等方面調整，工程師們需要很長的時間才能適應。
&n制程的光刻機到45nm制程工藝的半導體生產線量產，一般建設周期需要一年左右。
哪家先預定DSP100，哪家就能先拿到！
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